16589094427120891小

产品中心

为中国企业客户提供专业优质的服务

全自动光刻
1699424339941
6eed044e468509e01d91eb0223fd88c268a772b8
全自动光刻
1699424339941
6eed044e468509e01d91eb0223fd88c268a772b8

全自动光刻胶剥离清洗机

该设备主要用于半导体器件的去胶离清洗工艺。 全自动光胶剥离机采用顶部送风、封闭式、模块化 结构设计。依据功能不同,主要分为不锈钢机架,机械手自动传输系统,多功能剥离 清洗腔体,旋转主轴卡盘系统,摆动升降清洗臂结构,化学液增压、加热、循环、过 滤系统,排风排液系统;自动灭火系统,电气控制和软件系统等几个部分,各功能模 块分布合理,人性化设计,便于维护和保养。

产品描述

  1. 适应标准 6 /8 吋晶圆; 晶片类型:SiSiC

  2. 晶圆片传输方式:人工手动上下料盒、机械手自动传片,干进干出。

  3. 基片定位方式:主轴系统卡盘定位。

  4. 剥离金属膜厚度:≤0.8μm,光刻胶去除效率:100%,清洗后效果:无水渍,水斑, 光刻胶残留,划伤,金属残留。

  5. 机台运行流程:上料盒→机械手自动扫描→机械手取片→机械手取片放入 1#腔体浸泡 →机械手传输至腔体剥离→机械手传输至清洗腔体 DIW 冲洗干燥→工艺结束后,机械 手取片放入下料片盒→下料盒。

  6. 剥离清洗工艺流程:1#腔体 NMP 溶液浸泡→2#腔体 NMP 溶液高压剥离→3#腔体 DIW 冲洗(含兆声功能)、干燥(甩干+热氮气干燥)。

  7. 化学液:1#腔体:浸泡药液为 NMP,温度为 RT-80℃,温度精度±2℃,温度可以设 定,贴膜加热。

  8. 2#腔体:1#摆臂剥离药液为循环再利用 NMP,温度为 RT-50℃,温度精度±2℃,温 度可以设定,在线加热。

  9. 2#摆臂用新鲜 NMP 溶液,常温。

  10. 3#腔体:清洗药液为常温 IPA,冲洗采用兆声 DIW,干燥采用甩干+热氮气干燥的方 式。

  11. 设备采用电脑程序控制,能设置并存储大于 100 个不同的工艺程序;工艺时间设定: 19999 秒,增量 1

产品参数


image.png

020-38699788

de58d23a38c74b64bdbd2fc86ee2187

我们为广州普迩太科技有限公司会员免费提供使用说明书、操作指南。

需要下载的话,请您注册会员

如果您已经是会员,您可直接登录会员系统的后台进行下载。

会员登录

发送验证码

注册会员

*公司名
部门
职位
*姓名
*手机号
发送验证码
验证码
邮箱