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立式LPCVD
立式 LPCVD（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）设备是一种高温、高均匀性的薄膜沉积系统，广泛应用于半导体制造、MEMS 工艺、光电器件和材料科学领域。该设备采用立式炉管结构，可实现晶圆垂直加载与多批次沉积，具备良好的膜厚均匀性、高通量和优异的批间一致性，特别适合科研平台和中试线的工艺开发与规模放大实验。
产品描述
系统支持多种气体前驱体反应，能够沉积氮化硅(Si₃N₄), 氧化硅(SiO₂) , 多晶硅(Poly-Si), 硼磷硅玻璃(BPSG)等多种功能膜层，适配4–8英寸晶圆或定制基底。搭配精密的真空控制系统、自动化工艺控制模块和安全联锁机制，确保设备运行稳定、高效、安全。全自动传送,定位精准,稳定可靠；设备内部形成局部净化环境,有效控制污染,工艺气体充分预热,气氛均匀,精确温控；高洁净工艺环境；薄膜均匀性佳。
产品参数
晶片尺寸：8*（兼容6*）；
典型工艺温度：500℃~800℃；
恒温区长度：≥560mm；
单点温控精度：≤±0.5℃；
最大载片量：170片；
极限真空：≤20 mtorr；
新增颗粒：≤30（≥0.2μm）；
金属污染：＜5E 10atm/cm²
