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RIE刻蚀机
RIE反应离子刻蚀机特点 刻蚀范围：硅基：Si、SiNx、SiO2、Ge、GeSi等;有机物、Ⅲ-Ⅴ、蓝宝石、SiC、金属(Au、Ag、W)等 表面改性、干法去胶等 支持8英寸或以下尺寸整片以及碎片刻蚀 气路数量可根据用户需求配置 水冷控温，选配背氦控温 软硬件互锁机制 基于Windows操作软件，具备系统监测、工艺编辑、参数显示等功能，具备储存工艺日志和操作记录的能力 可基于用户需求定制
产品描述
一体化设计: 占地面积1.0m*1.0m (参考)
腔室正下方抽真空: 更好的工艺均匀性
喷淋头进气, 可根据需求作为预设参数进行配置
可配置等离子体放电距离
成本或性能导向可选配
取放片方式可选择
产品参数
晶圆尺寸: 4, 6, 8, 12英寸或多片晶圆可选
刻蚀材料: 硅基 (Si/SiO2/SiNx/SiC/石英等)
化合物 (InP/GaN/GaAs/Ga2O3/ZnS等)
一维和二维材料 (MoS2/BN/石墨烯等)
金属 (Au/Pt/W/Ta/Mo等)
真空系统: 分子泵与机械泵
射频功率: 满量程300-1000W可选, 根据样品尺寸定制
气体系统: 标配4路或定制
晶圆冷却: 水冷或背He冷却可选
样品控温: -70˚C到200˚C可选, 根据需求定制
不均匀性: 小于±5% (去边)
