等离子去胶机

此设备广泛应用于光刻、刻蚀、注入等工艺后的晶圆表面处理。设备通过干法（等离子体）或湿法（化学溶液）方式，将光刻过程中残留在晶圆表面的光刻胶和有机污染物彻底去除，保障后续工艺的清洁度与良率。 设备支持多种晶圆尺寸（如 4–8 英寸），可配置自动上下片系统、温控功能、残留颗粒过滤系统及化学药液循环系统，适应不同制程条件。典型干法去胶系统采用高效氧等离子体源，具有反应均匀、处理速度快、环境友好等优势；湿法系统则通过高温化学溶剂处理，适用于厚胶、高残留或复杂结构清洗。 去胶机适用于集成电路、功率器件、MEMS、化合物半导体、显示器和传感器等多种制造领域，是实现高质量图形转移、刻蚀后洁净以及提升器件可靠性的基础设备之一。