大型紫外直写光刻
该设备是一款高精度、无掩模的激光直写设备,专为微纳结构制造、光学器件开发、微流控芯片制作等科研应用设计。该系统采用数字微镜器件(DMD)实现图案的数字化投影,无需传统掩模,极大地提升了设计灵活性和实验效率.
产品描述
该系统支持多种曝光模式,包括步进曝光、矢量扫描、灰度曝光和拖曳曝光,能够满足复杂图形和多层结构的制作需求。设备集成了高精度自动对焦系统和多倍率物镜,确保在不同基底和图形尺寸下的高质量曝光。其开放式的软件平台支持多种图形文件格式(如 DXF),便于用户进行个性化设计和快速原型开发。
可选配光源:405nmLED、405nmLD、355nmDPSSL,支持4-8英寸幅面基,高刷新空间光调制无掩模直写,自动聚,3D形貌曝光、干涉曝光、偏振曝光,多模式曝光(扫描式曝光、步进式曝光),多任务模式自动运行,GDSII、BMP、STL等文件格式支持
产品参数
光源: LED405nm, 960mW / LD405nm, 150mW / DPSSL355nm, 800mW
光学头: 数值孔径NA=0.45, NA=0.8
图形发生器: 0.55英寸 / 0.95英寸, 1920 x 1080
工件台: 100mmx100mm(选配150mmx150mm) / 150mmx150mm(选配200mmx200mm)
自动聚焦: 0-200μm
基板厚度: 0-15mm
数据格式: GDS, BMP, STL等
3D形貌光刻: 标配
干涉光刻: 标配
偏振光刻: 标配
尺寸, 功率*: 1250mmx910mmx1790mm;850kg:1kW / 1280mmx1100mmx1860mm;950kg;1.2kW
光学头NA: 0.45/0.8/0.45/0.8.0.45/0.8/0.45/0.8
数据分辨率μm: 0.25/0.1/0.25/0.1/0.25/0.1/0.25/0.1
最小结构尺寸μm: 1/0.5/1/0.5/1/0.5/1/0.5
CD均匀度nm: 250/100/200/80/200/80/180/70
写入速度mm2/min: 100/25/250/75/250/75/300/100
套刻对准精度μm: 士0.3